به همت محققان نانو 
ترانزيستورهاي اثر ميداني حاوي نانولوله‌يي در كشور ساخته شد 
1388/01/30 08:42
  پژوهشگران دانشگاه سمنان موفق به ساخت و بررسي شرايط بهينه‌سازي عملکرد ترانزيستورهاي اثر ميداني ساخته‌شده از نانولوله‌هاي كربني شدند.    به گزارش سرويس فن‌آوري خبرگزاري دانشجويان ايران(ايسنا)، دکتر علي‌اصغر اروجي، درباره اين پژوهش گفت: «استفاده از نانولوله‌هاي کربني با شعاع بزرگتر در اين ترانزيستورها، رسانايي، هدايت خروجي و جريان حالت روشن را افزايش مي‌دهد.»    استاديار دانشگاه سمنان گفت: «هدف، يافتن شرايط بهينه‌سازي بازدهي ترانزيستورهاي اثر ميداني نانولوله كربني است و با ارايه يك مدل خازني براي اين ترانزيستورها، اثر شعاع نانولوله و ضخامت اكسيد گيت بر بازدهي آنها بررسي شده ‌است.»    نانولوله‌ها داراي ساختار نواري متقارن و مستقيم هستند و در ولتاژهاي كم، انتقال در آنها به ‌صورت بالستيك صورت مي‌گيرد. به‌علاوه، قراردادن عايق گيت با ثابت دي‌الكتريك زياد روي نانولوله، به‌ علت عدم وجود باندهاي آويزان در آن، باعث كاهش تحرك حامل‌ها نمي‌شود. اين ويژگي‌هاي منحصر به ‌فرد، نانولوله‌هاي كربني را به‌ عنوان بهترين جايگزين سيليسيم در ترانزيستورها مطرح کرده‌است.    نتايج اين پژوهش نشان مي‌دهد كه استفاده از عايق گيت نازك، رسانايي و هدايت خروجي قطعه را افزايش مي‌دهد و موجب کاهش جريان نشتي مي‌شود و درنتيجه بهبود اثرات كانال كوچك را به دنبال دارد. همچنين استفاده از نانولوله‌هايي با شعاع بزرگتر در ترانزيستورهاي اثر ميداني نانولوله كربني، اثرات كانال كوچك و افزايش جريان نشتي را به دنبال دارد.    اين ترانزيستورها در قطعات الكترونيكي و MEMS کاربردهاي بسياري دارند.    به گزارش ستاد ويژه توسعه فن‌اوري نانو، اين پژوهش در دانشكده مهندسي برق و كامپيوتر دانشگاه سمنان انجام شده و زهرا عارفي‌نيا ياريگر انجام آن بوده ‌است.    جزئيات اين پژوهش نيز در مجله Microelectronics (جلد 40، صفحات 9-5، سال 2009) منتشر شده‌است.   