به همت محققان دانشگاهي
نانولايه‌هاي ساخت حسگرهاي ميدان مغناطيسي در كشور ساخته شد
1388/11/07 08:37
  پژوهشگران ايراني موفق به تهيه نانولايه‌هايي براي ساخت سنسورهاي ميدان مغناطيسي با مقاومت مغناطيسي بزرگ شدند. 
 به گزارش سرويس فن‌آوري ايسنا، سيده مريم بني‌هاشميان، دانش‌اموخته فيزيک حالت جامد، با ايجاد ساختار نانومتري از فلزات پلاتين و مس روي ساختار سيليکون– سيليکون دي‌اکسيد (Si/SiO2/CuPt)، توانسته است ميدان مغناطيسي ضعيف کمتر از 6 ميلي تسلا را در دماي نيتروژن مايع آشکارسازي کرده و گامي در توليد سنسورهاي ميدان مغناطيسي با مقاومت مغناطيسي بزرگ بردارد. 
 وي اظهار داشت: «در اين کار، با استفاده از ليتوگرافي UV و لايه‌نشاني الکترون بيم، لايه بسيار نازکي از سيليکون دي‌اکسيد را روي سيليکون تميز شده با فرايند استاندارد کلينينگ و روش پلاسمايي، لايه‌نشاني كرديم و لايه‌اي حدود 5 نانومتر روي بستر سيليکون ايجاد شد. همچنين با استفاده از کنترل فشار و آهنگ لايه‌نشاني، نانولايه مس– پلاتين را روي سيليکون– سيليکون دي‌اکسيد، با اندازه كمتر از 8 نانومتر ايجاد كرديم؛ سپس با انجام فرايند آنيلينگ و سيم‌زني نمونه‌هاي ساخته شده، با اندازه‌گيري تغييرات نمودار جريان– ولتاژ با تغيير ميدان مغناطيسي در دماي نيتروژن مايع، ميدان مغناطيسي کمتر از 6 ميلي تسلا را آشکارسازي کرده و با دستگاه‌هاي اندازه‌گيري شامل AFM،SEM ، RBS نانولايه‌ها را مورد بررسي قرار داديم.» 
 مدرس دانشگاه پيام نور قم در ادامه افزود: «در اين پژوهش مشاهده شده است که ساختار نانومتري CuPt مي‌تواند با کم شدن ابعاد، ميدان مغناطيسي حدود چند ميلي‌تسلا نزديک به ميدان مغناطيسي زمين را آشکارسازي کند و با اعمال ميدان مغناطيسي، رفتارهايي مانند مقاومت مغناطيسي بزرگ که در نوع خود بي‌نظير است نشان دهد. اين نانوساختار مي‌تواند در سنسورهاي ميدان مغناطيسي، حافظه مغناطيسي و بيوسنسورها به کار رود.» 
 به گزارش ستاد ويژه توسعه فن‌آوري نانو، جزئيات اين تحقيق که با همکاري دکتر حسن حاج قاسم، دکتر عليرضا عرفانيان، مهندس مجيدرضا علي‌احمدي و مهندس منصور محتشمي‌فر انجام شده، طي مقالاتي در مجلات Sensors (جلد 9، صفحات 9740- 9734، سال 2009) Journal of Magnetism and Magnetic Materials (جلد 321، صفحات 2736- 2733، سال 2009) منتشر شده است.  
 