پرفسور علي‌ يزداني، استاد فيزيك دانشگاه «پرينستون» و گروهي از دانشمندان دانشگاه‌هاي «آيوا»، «پرينستون» و «الينويز» در پژوهشي مشترك موفق به طراحي و توليد نيمه‌هادي‌هاي مغناطيسي شدند.
به گزارش سرويس «فن‌آوري» خبرگزاري دانشجويان ايران (ايسنا)، اين دانشمندان بدين منظور ‌با استفاده از ميكروسكوپ تونلي پيمايشي (STM)، اتم‌هاي منگنز را در نقاط دلخواه از نيمه‌رساناي گاليم آرسنيد (GaAs) قرار دادند.
از مهم‌ترين موارد استفاده از اين نيمه‌هادي‌هاي جديد مي‌توان به طراحي و توليد چيپ‌هايي اشاره كرد كه در عين برخورداري از قابليت ذخيره‌سازي اطلاعات، قادر به پردازش آنها نيز باشد.
ماده نيمه‌رسانايي كه به اين ترتيب به دست مي‌آيد در دستگاه‌هاي اسپينترونيك و ايجاد تراشه‌هايي با قابليت ذخيره‌سازي و دستكاري داده‌ها كاربرد دارد.
نتايج اين تحقيق در مجله Nature به چاپ رسيده است.
دكتر يزداني در اين خصوص گفت:‌« توانايي سازماندهي كردن نيمه‌هادي‌ها در ابعاد اتمي براي كارشناسان و مهندسان الكترونيك يك آرزوي بزرگ بوده است و از اين رو اين روش جديد ممكن است افقي جديد در اين خصوص بگشايد. تاكنون ما راهي براي كنترل چگونگي قرار گرفتن اتم‌هاي منگنز در زير لايه گاليم آرسنيد وجود نداشت، و به عنوان مثال امكان تعيين بزرگي بيت‌هاي منگنز و يا اين كه اين اتم‌ها به چه فاصله‌اي از هم قرار مي‌گيرند وجود نداشت اما اكنون همه چير فرق كرده است.»
وي افزود:‌« پيش از اين دماي گذار فرومغناطيسي GaAs داراي آلاينده منگنز 88- درجه سانتي‌گراد بود. اما اگر قرار باشد از اين ماده در كاربردهاي الكترونيكي استفاده شود، اين ماده در دماي اتاق نيز بايد همچنان خاصيت مغناطيسي خود را حفظ كند. اين دانشمندان با بررسي اثر قرار دادن اتم‌هاي منگنز در نقاط خاص، اميدوارند بتوانند خواص اين ماده را بهينه‌سازي كنند.»
به گزارش ايسنا، يزداني افزود:‌ اگر بخواهيم تا به مطالعه چگونگي عملكرد نيمه‌هادي‌ها بپردازيم، رسوب كردن منگنز بر روي سطح به تنهايي كافي نيست و لزوما بايد به يك ماده يكپارچه و واحد تبديل شود.»
به عقيده اين دانشمندان استفاده از روش STM، راهي منطقي براي ايجاد آرايه‌هاي دقيقي از اسپين‌هاي منفرد، به صورت بيت‌هاي كوانتومي جفت شده به منظور پردازش حافظه يا اطلاعات مي‌باشند.